Mikro ir nano optoelektroniniams prietaisams gaminti gali būti naudojamos plonos ir minkštos naujos puslaidininkinės medžiagos

Plonos ir minkštos naujos puslaidininkinės medžiagos gali būti naudojamos mikro ir„Nano“ optoelektroniniai prietaisai

Ropertai, tik kelių nanometrų storis, geros optinės savybės ... Reporteris iš Nanjingo technologijos universiteto, kurį mokyklos profesoriaus tyrimų grupė yra fizikos katedros tyrimų grupėFotodetektoriai. Rezultatai buvo paskelbti naujausiame „International Journal Advanced Materials“ numeryje.

„Ypač ploni švino jodido nanoskopai, kuriuos mes pirmą kartą paruošėme, techninis terminas yra„ atomiškai storos plataus juostos tarpo dvimatės PBI2 kristalai “, tai yra ypač plona puslaidininkės medžiaga, kurios storio storio yra tik kelių nanometrų.“ Sun Yan, pirmasis popieriaus autorius ir kandidatas į doktorantą Nandžingo technologijos universitete, teigė, kad jie naudojo sprendimo metodą sintetindami, kuriems yra labai žemi įrangos reikalavimai ir turi paprasto, greito ir efektyvaus pranašumų ir gali patenkinti didelės srities ir aukšto lygio medžiagų paruošimo poreikius. Susintetintų švino jodido nanoskopų reguliarios trikampio ar šešiakampės formos, vidutinis dydis yra 6 mikronai, lygus paviršius ir geros optinės savybės.

Tyrėjai sujungė šį ypač ploną švino jodido nanosheet su dvimatėmis pereinamojo metalo sulfidais, dirbtinai suprojektuotais, sukrautais, sukrautais kartu ir įgijo įvairių tipų heterojunkcijas, nes energijos lygis yra išdėstytas skirtingais būdais, todėl švino jodidas gali turėti skirtingą poveikį skirtingų dviejų matmens pereinamojo metalo sulfidų optiniam poveikiui. Ši juostos struktūra gali veiksmingai pagerinti šviesos efektyvumą, kuris skatina gaminti tokius prietaisus kaip šviesos diodai ir lazeriai, kurie naudojami ekrane ir apšvietimu, ir gali būti naudojami fotodetektorių ir fotodetektorių lauke irFotoelektriniai įtaisai.

Šis pasiekimas realizuoja dvimatės pereinamojo metalo sulfido medžiagų optinių savybių reguliavimą ypač plono švino jodidu. Palyginti su tradiciniais optoelektroniniais prietaisais, pagrįstais silicio pagrindu pagamintomis medžiagomis, šis pasiekimas pasižymi lankstumo, mikro ir nano savybėmis. Todėl jis gali būti pritaikytas ruošiant lanksčią ir integruotąOptoelektroniniai įtaisai. Jis turi platų taikymo perspektyvą integruotų mikro ir nano optoelektroninių prietaisų srityje ir pateikia naują idėją gaminti saulės elementus, fotodetektorius ir pan.