Rof EOM 1550nm intensyvumo moduliatorius 2,5G plonasluoksnis ličio niobato moduliatorius

Trumpas aprašymas:

LiNbO3 intensyvumo moduliatorius yra plačiai naudojamas didelės spartos optinio ryšio sistemose, lazerio jutimo ir ROF sistemose dėl gero elektrooptinio veikimo. R-AM serija, pagrįsta MZ stumiamąja struktūra ir X-cut konstrukcija, pasižymi stabiliomis fizinėmis ir cheminėmis savybėmis, kurias galima pritaikyti tiek laboratoriniams eksperimentams, tiek pramoninėms sistemoms.

Siųskite mums el

Produkto detalė

Rofea Optoelectronics siūlo Optinius ir fotonikos Elektrooptinius moduliatorius gaminius

Produkto etiketės

Funkcija

* Mažas įterpimo praradimas
* Didelis pralaidumas
* Žema pusės bangos įtampa
* Tinkinimo parinktis

Elektrooptinis moduliatorius Elektrooptinis moduliatorius LiNbO3 intensyvumo moduliatorius MZM moduliatorius Mach-Zehnder moduliatorius LiNbO3 moduliatorius ličio niobato moduliatorius

Taikymas

⚫ ROF sistemos
⚫ Kvantinio rakto paskirstymas
⚫ Lazerinės jutimo sistemos
⚫ Šoninės juostos moduliacija

Bangos ilgis

⚫ 750 nm

⚫ 850 nm

⚫ 1064 nm

⚫ 1310 nm

⚫ 1550 nm

Pralaidumas

⚫ 10 GHz
⚫ 20 GHz
⚫ 40 GHz
⚫ 50 GHz

R-AM-15-2,5G

Parametras				Simbolis		Min	Tip	Maks	Vienetas
Optiniai parametrai
Veikiantisbangos ilgis				l		1530 m	1550	1565 m	nm
Įdėjimo praradimas				IL			4	5	dB
Optinės grąžinimo praradimas				ORL				-45	dB
Jungiklio išnykimo koeficientas @DC				ER@DC		20	23	45	dB
Dinaminis išnykimo koeficientas				DER			13		dB
Optinis pluoštas	Įvestisuostas					Panda PM Fujikura SM
	išvestisuostas					Panda PM Fujikura SM
Optinio pluošto sąsaja						FC/PC, FC/APC arba vartotojo nurodyti
Elektriniai parametrai
Veikiantispralaidumo(-3dB)					S₂₁	2.5	3		GHz
Pusinės bangos įtampa Vpi		RF			@50KHz		4.5	5	V
		Bias			@Bias		6	7	V
Elektrinisalgrąžinti nuostolius					S₁₁		-12	-10	dB
Įvesties varža			RF		Z_RF	50			W
			Šališkumas		Z_BIAS	1M			W
Elektrinė sąsaja						SMA(f)

Ribinės sąlygos

Parametras	Simbolis	Vienetas	Min	Tip	Maks
Įvesties optinė galia	P_in,Maks	dBm			20
Iįvesties RF galia		dBm			28
poslinkio įtampa	Vbias	V	-15		15
Veikiantistemperatūros	Į viršų	℃	-10		60
Laikymo temperatūra	Tst	℃	-40		85
Drėgmė	RH	%	5		90

S21 kreivė

&S11 Kreivė

S21 ir s11 kreivės

Mechaninė diagrama

UOSTAS	Simbolis	Pastaba
Į	Optinis įvesties prievadas	PM pluoštas (125 μm / 250 μm)
Išeina	Optinis išvesties prievadas	PM Pluoštas(125 μm / 250 μm)
RF	RF įvesties prievadas	SMA(f)/ K(f) / V(f)
Šališkumas	Poslinkio valdymo prievadas	1,2 Šališkumas, 3-PD katodas, 4-PD anodas

Ankstesnis: Rof Electro optinis moduliatorius 1550 nm AM serijos didelio išnykimo santykio intensyvumo moduliatorius

Kitas: Rof elektrooptinis moduliatorius 1550 nm slopinimo nešiklis, vienos šoninės juostos moduliatorius SSB moduliatorius

„Rofea Optoelectronics“ siūlo komercinių elektrooptinių moduliatorių, fazių moduliatorių, intensyvumo moduliatorių, fotodetektorių, lazerinių šviesos šaltinių, DFB lazerių, optinių stiprintuvų, EDFA, SLD lazerio, QPSK moduliavimo, impulsų lazerio, šviesos detektorių, subalansuoto fotodetektoriaus, lazerio tvarkyklės produktų liniją. , šviesolaidinis stiprintuvas, optinis galios matuoklis, Plačiajuostis lazeris, derinamas lazeris, optinis detektorius, lazerio diodo tvarkyklė, skaidulinis stiprintuvas. Taip pat siūlome daug konkrečių moduliatorių pritaikymui, pvz., 1*4 matricos fazių moduliatorius, itin žemo Vpi ir itin didelio išnykimo koeficiento moduliatorius, dažniausiai naudojamus universitetuose ir institutuose.
Tikimės, kad mūsų produktai bus naudingi jums ir jūsų tyrimams.

Susiję produktai